1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Целью настоящей работы является исследование особенностей функционирования
больших интегральных схем ( БИС ) репрограмируемых постоянных запоминающих
устройств ( РПЗУ ) в режиме записи и считывания информации.
2. ОСНОВНЫЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ПОЛ0ЖЕНИЯ
2.1. Устройства хранения информации занимают значительное место в структуре
современных цифровых вычислительных систем. Особую роль при этом играют
полупроводниковые запоминающие устройства, предназначенные для построения
внутренней памяти ЭВМ. К устройствам данного класса относятся оперативные
запоминающие устройства ( ОЗУ ), постоянные запоминающие устройства ( ПЗУ ),
программируемые постоянные запоминающие устройства ( ППЗУ ) и репрограммируемыв
постоянные запоминающие устройства ( РПЗУ ).
2.2. Полупроводниковые ОЗУ обеспечивают запись, хранение и считывание
информации, поступающей из центрального процессора или устройств внешней памяти
ЭВМ. Они характеризуются высоким быстродействием, однако при отключении питания
информация, записанная в 0ЗУ данного типа, стирается.
П3У предназначены для длительного хранения информации многократного
использования ( константы, таблицы данных, стандартные программы и т.д. ).
Запись информации в ПЗУ производится в процессе их изготовления. ПЗУ
функционируют только в режиме считывания и сохраняет информацию при отключении
питания.
В отличии от ПЗУ программируемые ПЗУ позволяют пользователю производить
однократную запись ( программирование ) информации по каждому адресу. Основным
режимом работы ППЗУ также является режим считывания информации.
Исследуемые в настоящей работе РПЗУ сохраняют информацию при отключении
источников питания, а также допускают возможность ее многократной перезаписи
электрическими сигналами непосредственно самим пользователем, что имеет
принципиальное значение при отладке тех или иных систем. В отличие от ОЗУ
быстродействие этих устройств в режиме записи информации значительно ниже, чем в
режиме считывания информации. В связи с этим можно считать, что основным режимом
работы РПЗУ является режим считывания информации.
2.3. Основными определяющими параметрами запоминающих устройств являются
информационная емкость и быстродействие. В качестве единицы измерения
информационной емкости используются бит, представляющий собой один ( любой )
разряд двоичного числа. Часто используются производные единицы:
байт ( 1 байт = 8 бит );
Кбайт ( 1 Кбайт = 210 байт );
Мбайт ( 1 Мбайт = 220 байт ) и др.
Информационная емкость записывается, как правило, в виде произведения
Синф = n x m, где
n - число двоичных слов;
m - разрядность слова.
Например, емкость ОЗУ типа К155РУ1 составляет
Синф = 16 х 1 бит = 16 бит.
Емкость ППЗУ типа К155РЕЗ равна
Синф = 32 х 8 бит = 256 бит = 32 байта.
Такая форма записи характеризует также и организацию памяти. Так, в приведенном
примере ОЗУ типа К155РУ1 содержит 16 слов с разрядностью 1, а ППЗУ типа К155РЕЗ
содержит 32 слова с разрядностьв 8.
Быстродействие запоминающего устройства характеризуется величиной времени
обращения. Время обращения - это интервал времени от момента подачи сигнала
записи или считывания информации до момента завершения операции, т.е.
минимальный интервал времени между двумя последовательными сигналами обращения к
запоминающему устройству. Это время может составлять от долей до единиц
микросекунд в зависимости от типа устройства.
2.4. В качестве примера запоминающего устройства рассмотрим БИС РПЗУ типа
КР1601РР1 информационной емкостью
Синф 1К х 4 = 4 Кбит (1К = 210 =1024 ).
Условно-графическое обозначение микросхемы приведено на рис.1.
Рис.1
На рис.1 использованы следующие обозначения:
A0 ё A9 - входы адреса
D0 ё D3 - входы / выходы данных
CS - выбор кристалла
RD - вход сигнала считывания
PR - вход сигнала программирования
ER - вход сигнала стирания
UPR -вход напряжения программирования
Режимы работы микросхемы представлены в таблице 1.
Таблица 1
CSERPRRDA0ёA9UPRD1/0Режим
0XXXXXRoffХранение
1010X-33ё-31 BXОбщее стирание
1000A—//—XИзбирательное стирание
1100A—//—D1Запись данных
1111A-33ё5 BD0Считывание
2.4.1. В режиме хранения на вход С подается логический "0", при этом независимо
от характера сигналов на других управляющих и адресных входах на выходах данных
устанавливается высокоомное состояние ( Roff ).
2.4.2. При подаче CS = 1, ER = 0, PR = 1 и RD = 0 происходит стирание информации
во всех ячейках памяти микросхемы, что соответствует для данной микросхемы
установление всех ячеек в состояние логической "1".
2.4.3. При подаче сигналов CS = 1, ER = RD = 0 происходит избирательное стирание
информации только по одному адресу А, установленному на входах AО ё А9 .
2.4.4. Для программирования РПЗУ на вход подается сигналы СS = 1 и PR = 0. При
этом обеспечивается запись по заданному адресу А информации, поступившей на
входы DО ё D3.
2.4.5. Для считывания информации по адресу А на вход микросхемы подаются сигналы
СS=RD=1. Считываемая информация поступает на выходы D0 ё DЗ микросхемы.
2.4.6. В режиме стирания и программирования на вход UPR подается повышенное
напряжение -33 ё -31 В. В режиме считывания это напряжение может иметь любое
значение в интервале от -33 В до 5 В.
3. ОПИСАНИЕ ОБЪЕКТА И СРЕДСТВ ИССЛЕДОВАНИЯ
Функциональная схема исследуемого устройства представлена на рис.2.
3.1. Исследуемая микросхема запоминающего устройства ДД2 представляет собой РПЗУ
с электрическим стиранием информации типа КР1601РР1, рассмотренное выше.
3.2. Для задания кода адреса РП3У используются десять кнопок с фиксацией SA7 ё
SA16. Отжатому состоянию кнопки соответствует сигнал логического "0", нажатому
состоянию - сигнал логической "1" ( при этом загорается соответствующий
светодиод ).
3.3. Данные для записи в РПЗУ формируются с помощью генератора пачки импульсов и
счетчика СТ ( ДД1 ). Число импульсов задается с помощью четырех кнопок с
фиксацией на блоке К32 под надписью "Программатор СИ". Генератор запускается
путем нажатия поочередно кнопок "Устан.О" и “Пуск". Число импульсов
подсчитывается счетчиком, собранном на микросхеме типа К155ИЕ5, и в двоичном
коде через шинный формирователь ВД подается на вход данных РПЗУ. При
необходимости счетчик СТ может быть обнулен с помощью кнопки SA6.
3.4. Шинный формирователь ДДЗ выполняет функцию коммутатора, обеспечивающего
заданную пересылку четырехразрядных слов данных. С этой целью в микросхеме ДДЗ
предусмотрены три различные группы входов / выходов.
3.4.1. Входы D1 предназначены для приема данных от внешних устройств ( например,
счетчика импульсов ) и пересылки их в РП3У.
3.4.2. Выходы D0 предназначены для передачи считываемых данных на блок индикации
БИ2.
3.4.3. Выводы D1/0 представляют собой входы или выходы микросхемы в зависимости
от направления передачи данных.
3.4.4. При подаче на управляющий вход шинного формирователя Е сигнала
логического "0" данные с входов D1 подаются на выходы D 1/0. При подаче на вход
Е сигнала логической "1" данные с входов D 1/0 передаются на выход DО.
3.5. Блок формирования импульсов управления представляет собой устройство,
формирующее сигнал управления работой РПЗУ.
3.5.1. В режиме "0бщее стирание" БФИ формирует на входе ER РПЗУ сигнал
логического "0". Сигнал формируется с помощью кнопки SА1 на блоке К32 путем
перевода ее в нажатое состояние и обратно.
3.5.2. В режиме "Избирательное стирание" БФИ формирует на входах ЕР и РР РПЗУ
сигналы логического "0". Сигналы формируются с помощью кнопки SА2 путем перевода
ее в нажатое состояние и обратно.
3.5.3. В режиме "Запись информации" БФИ формирует сигналы логического "0" на
входе PR РПЗУ и на входе Е шинного формирователя. Сигналы формируются с помощью
кнопки SАЗ путем перевода еев нажатое состояние и обратно. Указанные сигналы
формируются при условии, что одна из кнопок SА1 или SA2 находится в отжатом
состоянии.
3.5.4. В режиме "Считывание информации" БФИ формирует сигнал логической "1" на
входе RD РПЗУ и на входе Е шинного формирователя. Сигналы формируются с помощью
кнопки SА4 путем перевода ее в нажатое состояние и обратно. Считывание
информации производится из ячейки памяти с заданным адресом А. После считывания
данные через шинный формирователь поступают на блок индикации БИ2.
3.6. Блок индикации БИ1, расположенньй слева на передней панели блока К32,
регистрирует число, находящееся в счетчике СТ2 ( ДД1 ). Число представляется в
десятичной форме с помощью двух семисегментных индикаторов ( третьего и
четвертого ). Кнопка " IO _ 2”, расположенная под индикатором, должна находиться
в отжатом состоянии.
Блок индикации БИ2, расположенный на панели справа, регистрирует данные,
считываемые из РПЗУ. Информация на блоке индикации может быть представлена как в
двоичной, так и в десятичной форме,
3.7. Вышеуказанный ряд питающих напряжений, необходимый для функционирования
исследуемого устройства, формируется с помощью блоков пи-
Рис.2
тания стенда. Для подачи необходимых напряжений соответствующие кнопки питания
должны находиться в нажатом состоянии, что сопровождается свечением индикаторов
"+5" , "+15" , "-15" , "-30".